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25. März 2015

Neue Wege der Zusammenarbeit

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Gemeinsamer Erfolg im Projekt

Osram Opto Semiconductors und das Institut für Halbleitertechnik der TU Braunschweig haben das ec2 Mitte März 2015 eröffnet, um die GaN-Technologie in Deutschland voranzubringen. In der Halbleitertechnologie erzeugt diese Materialkombination beispielsweise blaues Licht, das als Basis für weiße Leuchtdioden (LED) dient, kann aber auch in weiteren Anwendungsfeldern eingesetzt werden: von der Opto- über die Leistungselektronik bis hin zur Sensorik.

Bereits heute können Partner im »epitaxy competence center ec²« auf eine hervorragende Forschungsplattform für GaN-Materialien und -Bauelemente zugreifen, die nahezu dem industriellen Stand der Technik entspricht. »Künftig möchten wir den Epitaxieprozess weiter ausbauen und die Infrastruktur für Nanoanalytik und Prozessierung systematisch weiterentwickeln«, erläutert Dr.-Ing. Sönke Fündling, Leiter des ec², die weiteren Pläne für das Kompetenzzentrum.

Für die GaN-Technologie sind immer effizientere Prozesse gefragt, betonte Aldo Kamper, CEO von Osram Opto Semiconductors, in seiner Rede während der Eröffnungsveranstaltung: »Die technologische Entwicklung hin zu noch mehr Leistung und kostengünstigerer Produktion muss immer schneller gehen. Das funktioniert aber nur, wenn Industrie und Wissenschaft eng zusammenarbeiten; in Forschungsprojekten oder wie beim ec² in einem Kompetenzzentrum.

Das Niedersächsische Ministerium für Wissenschaft und Kultur, das Institut für Halbleitertechnik, die TU Braunschweig und Osram Opto Semiconductors engagieren sich gemeinsam für das ec². Die Investitionen des Landes Niedersachsen und Osram lagen bei etwa zwei Millionen Euro.

www.ec2.tu-bs.de | www.osram-os.com